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碳化硅如
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什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。 颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 固相法是利用两种或两种以上的固体物质，通过充分研磨和高温煅烧生产碳化硅的传统方法。 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被 碳化硅的制备及应用最新研究进展 汉斯出版社
碳化硅化工百科 ChemBK
2024年1月2日 中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409212,化学式:CSi,分子量:401,密度:322 g/mL at 25 °C (lit),熔点:2700 °C (lit),沸点:2700℃,水溶性:Soluble 2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社区
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碳化硅晶圆：特性与制造，一步了解 ROHM技术社区
2024年5月6日 面对多晶碳化硅（PolySiC）材料的未来，研究者们正聚焦于通过精细调控合成参数、采用先进烧结技术、深化缺陷工程、开发复合材料、制备高质量晶体、拓展应 世界各国对SiC的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件，如德国的英飞凌半导 碳化硅晶体 百度百科
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第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景
2020年9月21日 碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 资料来 2023年12月6日 国家陆续出台了多项政策，鼓励碳化硅行业发展与创新，如科技部在2020年发布的《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》中指出支持功率碳化硅芯片和器件在移动储能装置中的应用 (应用示范类)，为碳化硅行业提供了良好的发展环境。2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析
工程师两难之氮化镓GaN还是碳化硅SiC？到底该pick谁？
2021年6月18日 作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。 之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。 氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度，更高的临界场强使得基于这两种材料制作 2019年9月25日 碳化硅是一种由碳元素和硅元素组成的半导体化合物材料。与氮化镓、氮化铝、氧化镓等禁带宽度大于22eV的材料相比，碳化硅（ SiC ）被归类为宽禁带半导体材料，也被国内称为第三代半导体材料。硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领
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什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过程称为 Lely 法。2024年2月27日 近期，我们对市场上用于当前和下一代电力电子产品的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶体管进行了全面回顾和展望。首先讨论了 GaN 和 SiC 器件的材料特性和结构差异。在分析不同市售氮化镓和碳化硅功率晶体管的基础上，我们介绍了这些技术的新发展状况，突出强调了每种技术平台的优先功率转换 SiC和GaN，新进展！器件碳化硅电力
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【行业深度】洞察2024：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额
2024年7月4日 碳化硅（SiC）行业分析报告：依据企业的碳化硅技术进步、产业布局等综合方面综合判断，可将当前参与碳化硅产业生产的企业分为3个竞争梯队。稀土氧化物 如Y2O，同样可以作为碳化硅陶瓷的烧结助剂，通过液相烧结的途径获得致密的碳化硅。由于其液相烧结是通过玻璃相的形成来降低孔隙率，提高致密度的，因此，玻璃相的特性对烧结所得微观结构影响很大。碳化硅陶瓷 百度百科
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎 VDOM2020年9月21日 碳化硅功率器件定位于1KW500KW之间，工作频率在10KHz100MHz之间的场景，特别适用于对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车充电机、充电桩、光伏逆变器、高铁、智能电网、工业级电源等领域，可逐渐取代硅基MOSFET和IGBT。第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析
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FIT Document(F:\whxb\2010\04\1143FIT)
2010年4月1日 本文结合课题组的研究工作简要介绍制备高比表面积碳化硅的几种常用方法,以及高比表面积碳化硅在多相催化方面的一些应用情况本文中提到的高比表面积碳化硅一般指比表面积大于20 m2g1 的多孔碳化硅, 其它形式的碳化硅,如纳米线和纳米颗粒将不在本文讨论之内有关纳米碳化硅的制备、性质和 2023年11月23日 「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展 粉体技术网 15:12 河南 碳化硅（SiC）作为一种很有发展前景的非金属材料，具有许多的优异性能，如硬度高、强度高、抗氧化、耐高温、耐磨蚀等等，在耐火材料、工程陶瓷、结构材料等方面有广 「技术」碳化硅粉体表面改性方法及研究进展
碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关2023年8月7日 碳化硅铝基复合材料(Aluminum Matrix Composites, AMCs)具有弹性模量高、尺寸稳定性高等优点被多领域广泛地应用。 碳化硅(SiC) 作为增强体有着不同的形态,主要有碳化硅颗粒(SiCp) 、碳化硅晶须(SiCw)以及碳纳米管(CNT) 。 近年来,SiC作为强化相增强铝基复合材料成为了新 碳化硅增强铝基复合材料研究进展
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碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。 碳化硅“狂飙” 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 SiC的晶带宽度为Si的23倍，热导率约为Si的44倍，临界击穿电场约为Si的8倍，电子的饱和漂移速度为Si的2倍。 SiC的这些性能使其成为高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件的优选材料，可用于地面核反应堆系统的监控、原油勘探、环境监测及航空、航天 碳化硅晶体 百度百科
氮化镓GaN还是碳化硅SiC？腾讯新闻
2021年9月14日 作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度，更高的临界场强使得基于这两种材料制作 2024年1月2日 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。在常压下2500℃时发生分解。相对密度320～3 25,介电常数70，室温下电阻率102M．cm。碳化硅的硬度很高，莫氏硬度为92～95，但比金刚石、立方氮化硼等几种物质稍低。碳化硅的热导率很高 碳化硅化工百科 ChemBK
碳化硅(SiC)基材料的高温氧化和腐蚀pdf 豆丁网
2015年6月23日 件下碳化硅材料表面产生了一层非常薄的、致密的、 结合牢固的SiO2 膜，氧在SiO2 膜中的扩散系数非 常小，因此碳化硅材料的氧化非常缓慢在这种条件 下碳化硅材料的缓慢氧化称作钝性氧化（Passive Oxidation）但在某些条件下，如在足够高的温度下2020年3月16日 摘要:碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管 Microsoft Word 420061741X盛况doc
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碳化硅的主要特性是什么？为什么碳化硅在高频下的性能
2023年8月12日 碳化硅是一种非常适合电源应用的半导体，这首先要归功于其承受高电压的能力，比硅可用的电压高十倍。基于碳化硅的半导体具有更高的导热性、更高的电子迁移率和更低的功率损耗。SiC二极管和 晶体管 也可以在更高的频率和温度下工作，而不会影响可靠性。SiC器件（如 肖特基 二极管和FET/MOSFET 2023年12月6日 国家陆续出台了多项政策，鼓励碳化硅行业发展与创新，如科技部在2020年发布的《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》中指出支持功率碳化硅芯片和器件在移动储能装置中的应用 (应用示范类)，为碳化硅行业提供了良好的发展环境。2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析
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工程师两难之氮化镓GaN还是碳化硅SiC？到底该pick谁？
2021年6月18日 作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET日益引起工业界，特别是电气工程师的重视。 之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体，是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点，如图1所示。 氮化镓和碳化硅材料更大的禁带宽度，更高的临界场强使得基于这两种材料制作 2019年9月25日 碳化硅是一种由碳元素和硅元素组成的半导体化合物材料。与氮化镓、氮化铝、氧化镓等禁带宽度大于22eV的材料相比，碳化硅（ SiC ）被归类为宽禁带半导体材料，也被国内称为第三代半导体材料。硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领
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什么是碳化硅 (SiC)？用途和制作方法 Arrow
2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。加热后，这些晶体在较低的温度下沉积在石墨上，这一过程称为 Lely 法。2024年2月27日 近期，我们对市场上用于当前和下一代电力电子产品的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）晶体管进行了全面回顾和展望。首先讨论了 GaN 和 SiC 器件的材料特性和结构差异。在分析不同市售氮化镓和碳化硅功率晶体管的基础上，我们介绍了这些技术的新发展状况，突出强调了每种技术平台的优先功率转换 SiC和GaN，新进展！器件碳化硅电力
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【行业深度】洞察2024：中国碳化硅行业竞争格局及市场份额
2024年7月4日 碳化硅（SiC）行业分析报告：依据企业的碳化硅技术进步、产业布局等综合方面综合判断，可将当前参与碳化硅产业生产的企业分为3个竞争梯队。稀土氧化物 如Y2O，同样可以作为碳化硅陶瓷的烧结助剂，通过液相烧结的途径获得致密的碳化硅。由于其液相烧结是通过玻璃相的形成来降低孔隙率，提高致密度的，因此，玻璃相的特性对烧结所得微观结构影响很大。碳化硅陶瓷 百度百科
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知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎
知乎专栏 随心写作，自由表达 知乎 VDOM2020年9月21日 碳化硅功率器件定位于1KW500KW之间，工作频率在10KHz100MHz之间的场景，特别适用于对于能量效率和空间尺寸要求较高的应用，如电动汽车充电机、充电桩、光伏逆变器、高铁、智能电网、工业级电源等领域，可逐渐取代硅基MOSFET和IGBT。第三代半导体材料之碳化硅（SiC）应用现状及前景分析
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FIT Document(F:\whxb\2010\04\1143FIT)
2010年4月1日 本文结合课题组的研究工作简要介绍制备高比表面积碳化硅的几种常用方法,以及高比表面积碳化硅在多相催化方面的一些应用情况本文中提到的高比表面积碳化硅一般指比表面积大于20 m2g1 的多孔碳化硅, 其它形式的碳化硅,如纳米线和纳米颗粒将不在本文讨论之内有关纳米碳化硅的制备、性质和